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2000年

· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出快恢復(fù)高壓硅堆，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

2002年

· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出區(qū)熔硅單晶，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出氣相摻雜區(qū)熔硅單晶的生產(chǎn)技術(shù)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

2005年

· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出區(qū)熔氣相摻雜太陽能電池硅單晶的生產(chǎn)技術(shù)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

2008年

· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出摻鎵元素太陽能直拉硅單晶的生產(chǎn)技術(shù)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

2010年

· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出高壓大電流MOSFET，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出|GBT器件用區(qū)熔拋光片生產(chǎn)技術(shù)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

2011年

· 研制生產(chǎn)出中國(guó)首顆8英寸區(qū)熔硅單晶

2012年

· 研發(fā)出太陽能電池用CFZ單晶生產(chǎn)技術(shù)
· 研制生產(chǎn)出信息安全專用激光打印機(jī)

2015年

· 研發(fā)出熒光量子點(diǎn)微納米級(jí)封裝的復(fù)合材料結(jié)構(gòu)